Аратта - На головну

29 липня 2017, субота

«АРАТТА. Вікно в Україну» - домашня сторінка  Лист до редакції  Інформація про портал

Актуально
Музей «Аратта»
Невідома Аратта
Українські фільми
Українські мультфільми
Хто ти?
  Аратта у Facebook Аратта в YouTube Версія для мобільних пристроїв RSS
Чи знаєте Ви, що:
- в селі Лемеші (Чернігівська область) на початку XVIII століття народився хлопчик Олексій Розум. У вільний від випасу корів час, він співав у сільскому церковному хорі, де був помічений, відправлений до Петербургу й згодом став графом Розумовським й вінчаним чоловіком імператриці Елизавети (щоправда без права престолонаслідування). Брат графа Кирило у 18 років (!!!) очолив петербургську академію наук, а згодом ще й став гетьманом Лівобережної України...

Наш партнер - Дата-центр «Об`єднані Мережі України»

Курс валюти:
Курси валют в банках Києва
Курси валют в обмінниках Києва
Курси валют в регіонах України

Галерея дизайну «Аратта» — архітектура, брендінг, поліграфія, веб

Клуб української культури «Аратта» (м.Нововолинськ)


Погода в Україні:
 

Наш банер

Наш банер


Учені створили надшвидку пам`ять

Технології 6412 переглядів Система Orphus: виділіть орфографічну помилку мишею і натисніть Ctrl+Enter

Опубліковано - 12.12.2006 13:59 | Всі новини | Версія для друку | Коментарі (0)

512 Мб PRAM (прототип Samsung)
512 Мб PRAM (прототип Samsung)
Група американських учених, до числа яких увійшли фахівці з IBM, Macronix і Qimonda, оголосила про створення нового типу модулів пам'яті. Завдяки цій розробці, що отримала назву PRAM (пам'ять із зміною фази), тривалість і швидкість роботи плеєрів, мобільних телефонів і цифрових камер істотно зросте, повідомляє AFP.

Як заявляють винахідники, швидкість роботи створених модулів PRAM (Phase-change Random Access Memory) перевершує аналогічний показник флэш-пам'яті (найбільш поширений тип пам'яті, використовуваний при створенні мобільників, плеєрів і т.п.) в 500 - 1000 разів. При цьому за рівнем енергоспоживання PRAM істотно економічніше флеш - новий винахід споживає в два рази менше електроенергії.

За інформацією видання Techworld, у продажу подібні модулі пам'яті з'являться не раніше 2008 року. Варто відзначити, що подібними розробками займаються й інші компанії, наприклад - корейська Samsung, фахівцям якої вдалося створити прототип PRAM, що працює зі швидкістю, що в 30 разів перевищує аналогічний показник флеш-пам'яті, повідомляє Lenta.Ru.

Якщо ви помітили в тексті орфографічну помилку, виділіть її мишкою та натисніть Ctrl+Enter

Share/Bookmark
 
Більше новин за темою «Технології»:
Loading...
  
Більше тем:

Останні новини:

Популярні статті:
 
 

Три речі роблять націю великою і процвітаючою: плодоносний ґрунт, діяльна промисловість і легкість пересування людей і товарів”
Френсіс Бекон

 
 
Опитування:

Україна сьогодні -
Окупована країна
Незалежна і самостійна
“Бананова республіка”
Час покаже







 

 

 
Яндекс цитування Internet Map Счётчик тиц и PR Український рейтинг TOP.TOPUA.NET

© АРАТТА. Український національний портал. 2006-2017.
При передруці інформації, посилання на www.aratta-ukraine.com обов`язкове.