X

Вітаємо на нашому сайті!



У Вас встановлене розширення AdBlock або подібне. Будь ласка, додайте наш сайт до білого списку, - тим самим Ви сприятимете його розвитку, - адже сайт не утримується олігархами.
Аратта - На головну

23 січня 2019, середа

«АРАТТА. Вікно в Україну» - домашня сторінка  Лист до редакції  Інформація про портал

Актуально
Музей «Аратта»
Невідома Аратта
Українські фільми
Українські мультфільми
Хто ти?
  Аратта у Facebook Аратта в YouTube Версія для мобільних пристроїв RSS
Чи знаєте Ви, що:
- гетьман Петро Дорошенко останні двадцять років свого довгого й бурхливого життя прожив у почесному засланні в Росії. Був Вятським воєводою. Отримав від російського царя в маленькому містечку Яропольче (Волоколамський повіт поблизу Москви) помістя - 1000 дворів і пенсію в 1000 карбованців. Там же він і помер 9 листопада 1698 року, де і був похований. Був тричі одружений, мав двох дочок і трьох синів. Його правнучкою, по лінії останнього шлюбу з Агафією Єропкиною, була .... дружина Олександра Пушкіна – Наталя Гончарова...

Наш партнер - Дата-центр «Об`єднані Мережі України»

Курс валюти:
Курси валют в банках Києва
Курси валют в обмінниках Києва
Курси валют в регіонах України

Галерея дизайну «Аратта» — архітектура, брендінг, поліграфія, веб

Клуб української культури «Аратта» (м.Нововолинськ)


Погода в Україні:
 

Наш банер

Наш банер


Учені створили надшвидку пам`ять

Технології 8266 переглядів Система Orphus: виділіть орфографічну помилку мишею і натисніть Ctrl+Enter

Опубліковано - 12.12.2006 13:59 | Всі новини | Версія для друку | Коментарі (0)

512 Мб PRAM (прототип Samsung)
512 Мб PRAM (прототип Samsung)
Група американських учених, до числа яких увійшли фахівці з IBM, Macronix і Qimonda, оголосила про створення нового типу модулів пам'яті. Завдяки цій розробці, що отримала назву PRAM (пам'ять із зміною фази), тривалість і швидкість роботи плеєрів, мобільних телефонів і цифрових камер істотно зросте, повідомляє AFP.

Як заявляють винахідники, швидкість роботи створених модулів PRAM (Phase-change Random Access Memory) перевершує аналогічний показник флэш-пам'яті (найбільш поширений тип пам'яті, використовуваний при створенні мобільників, плеєрів і т.п.) в 500 - 1000 разів. При цьому за рівнем енергоспоживання PRAM істотно економічніше флеш - новий винахід споживає в два рази менше електроенергії.

За інформацією видання Techworld, у продажу подібні модулі пам'яті з'являться не раніше 2008 року. Варто відзначити, що подібними розробками займаються й інші компанії, наприклад - корейська Samsung, фахівцям якої вдалося створити прототип PRAM, що працює зі швидкістю, що в 30 разів перевищує аналогічний показник флеш-пам'яті, повідомляє Lenta.Ru.

Якщо ви помітили в тексті орфографічну помилку, виділіть її мишкою та натисніть Ctrl+Enter

Share/Bookmark
 
Більше новин за темою «Технології»:
Loading...
  
Більше тем:

Останні новини:

Популярні статті:
 
 

Коли я ознайомився з партіями марксистів, соціалістів, лібералів та демократів, то за спиною кожної з них я побачив хитрий писок жида”
Іван Франко

 
Відпочинок на схилах Дніпра
 
Опитування:

Україна сьогодні -
Окупована країна
Незалежна і самостійна
“Бананова республіка”
Час покаже







 

 

 
Internet Map Счётчик тиц и PR

© АРАТТА. Український національний портал. 2006-2019.
При передруці інформації, посилання на www.aratta-ukraine.com обов`язкове.